晶芯成申请MOS结构及其制备方法专利，改善MOS结构的短沟道效应_电子技术

晶芯成申请MOS结构及其制备方法专利，改善MOS结构的短沟道效应

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2025-05-15 10:55:46

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金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MOS结构及其制备方法”的专利，公开号CN119907291A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体制备工艺技术领域，提供了一种MOS结构及其制备方法，所述MOS结构的制备方法包括：提供衬底初体；所述衬底初体包括被浅沟槽隔离结构定义出的有源区；在所述有源区的表面制作下凹孔；在所述下凹孔的侧壁及底部形成氧化物层，并填充栅极材料，以形成栅极结构初体；垂直于有源区的排布方向，对所述栅极结构初体和所述衬底初体进行切割，得到所述MOS结构的栅极结构和衬底；其中，所述下凹孔的部分侧壁和部分底部形成所述下凹部；其中，所述栅极结构与所述下凹部的侧壁相接触形成的接触面为非平面。如此，能够一定程度上改善MOS结构的短沟道效应。

天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息208条，此外企业还拥有行政许可1个。

合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目621次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1120条，此外企业还拥有行政许可16个。

来源：金融界

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