上海华力申请提高MOS器件性能专利，大大降低MOS器件栅极电阻
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2025-05-15 10:55:47
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金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种提高MOS器件性能的方法”的专利，公开号 CN 119742227 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种提高MOS器件性能的方法，提供功函数层；在所述功函数层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成金属层，所述金属层的材料为钨，所述金属层的厚度为刻蚀所述金属层、阻挡层以及所述功函数层形成栅极结构。本发明将传统22nm制程中栅极材料AL替换为钨，将AL栅下的粘合层Ti及阻挡层TiN替换为的阻挡层TiN，本发明大大降低MOS器件栅极电阻，提升沟道拉应力，从而提升NMOS器件性能。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2077次，专利信息2254条，此外企业还拥有行政许可343个。
来源：金融界
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