广州增芯科技申请半导体结构制作方法和半导体结构专利，实现零额外光掩膜消耗
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2025-05-31 18:06:16
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法和半导体结构”的专利，公开号CN120076396A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成N型掩埋层，并在衬底和N型掩埋层表面形成外延层，部分N型掩埋层位于衬底内；在外延层内形成暴露表面的第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构位于N型掩埋层上方；对第一浅沟槽隔离结构进行第一N型离子注入，在第一浅沟槽隔离结构下方和N型掩埋层之间形成第一N型阱区，N型掩埋层和第一浅沟槽隔离结构分别与第一N型阱区相连，实现改变PNP型BJT管的beta值，增加了PNP型BJT管的beta值的可控性；并且，适用多种半导体结构的制作方法，无需增加新的光掩膜以适应新的半导体结构的制作方法，因此，实现零额外光掩膜消耗，降低了PNP型BJT管的制作成本。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本682000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息93条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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