珠海越芯半导体申请Cavity基板结构及其制作方法专利，所得到的Cavity基板结构的深度均匀
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2025-06-04 13:33:27
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，珠海越芯半导体有限公司申请一项名为“一种Cavity基板结构及其制作方法”的专利，公开号CN120091493A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提出了一种Cavity基板结构及其制作方法，Cavity基板结构包括：第一铜箔层，第一铜箔层的上侧设置有可被镭射的材质；第一线路层，第一线路层位于第一铜箔层的下方，在第一铜箔层和第一线路层之间填充有第一RCC层，第一RCC层包括第一树脂层和第二铜箔层，第一树脂层远离第一线路层，第二铜箔层靠近第一线路层。根据本发明实施例的技术方案，通过在第一线路板的上侧设置第一铜箔层和第一RCC层，对第一铜箔层的上方进行镭射，第一铜箔层为Cavity结构的第一次镭射提供深度基准，通过蚀刻去除第一铜箔层，对第一RCC层的上方进行镭射，第一RCC层为Cavity结构的第二次镭射提供深度基准，所得到的Cavity基板结构的深度均匀，并能实现Cavity结构的深度控制。
天眼查资料显示，珠海越芯半导体有限公司，成立于2021年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万。通过天眼查大数据分析，珠海越芯半导体有限公司参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可100个。
来源：金融界
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