中芯国际申请半导体结构及其形成与检测方法专利，提高对伪栅层残留物的检测准确性
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2025-06-04 13:33:28
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、以及检测方法”的专利，公开号CN120091576A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法、以及检测方法，形成方法包括：去除伪栅结构的伪栅层后，利用金属硅化物工艺进行伪栅残留标定操作，用于将硅材料转化为金属硅化物材料。本发明实施例通过利用金属硅化物工艺进行伪栅残留标定操作，即将硅材料转化为金属硅化物材料，由于金属硅化物材料含有金属，与半导体材料、介电材料存在差异性，因此，在后续进行电子束检测时，金属硅化物材料与其他材料的背散射信号存在差异，易于被辨别，从而提高了对伪栅层残留物的检测准确性；而且，在利用金属硅化物工艺进行伪栅残留标定操作后，即可进行针对残留物的检测，有利于提高对伪栅层残留物的检测实时性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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