华南理工大学和中国电科院申请芯片表面镀制薄膜装置及其使用方法专利，确保芯片两面镀膜的均匀分布
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2025-06-04 14:33:56
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，华南理工大学、中国电力科学研究院有限公司申请一项名为“一种芯片表面镀制薄膜装置及其使用方法”的专利，公开号CN120082872A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开一种芯片表面镀制薄膜装置及其使用方法，属于芯片镀膜技术领域，包括：沉积室，沉积室内固接有放置架，放置架上转动连接有转盘，转盘上开设有若干通孔，通孔内用于安放芯片，放置架上设置有驱动组件，驱动组件驱动转盘转动从而带动芯片翻转，改变芯片沉积面的沉积方向和沉积角度；蒸发裂解室，蒸发裂解室内用于放置镀材，并使蒸发裂解后的镀材进入沉积室内。本发明可带动若干芯片同步转动，改变芯片沉积面的沉积方向和沉积角度，确保芯片两面镀膜的均匀分布，避免局部过厚或过薄的情况，保障镀膜质量。
来源：金融界
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