德州仪器申请具有低纵横比硅通孔的传感器封装专利，包含低纵横比通孔开口延伸到相对侧
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2025-06-07 11:04:00
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有低纵横比硅通孔的传感器封装”的专利，公开号CN120113368A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，电子装置(100)包含：半导体衬底(112)，其具有在所述半导体衬底(112)的第一侧(115)上的第一导电布线结构(121)；以及低纵横比通孔开口(117)，其从所述第一侧(115)延伸到相对的第二侧(116)。所述电子装置(100)包含透明盖(124)，其在所述第一侧(115)的一部分上方并且覆盖图案化的第一导电布线结构(121)；以及绝缘体层(131)，其包含在所述第二侧(116)上并且沿着所述通孔开口(117)的侧壁(118)的光可成像材料；以及第二导电布线结构(132)，其在所述绝缘体层(131)的外侧上并且延伸穿过所述通孔开口(117)并直接接触所述第一导电布线结构(121)的一部分。
来源：金融界
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