上海积塔半导体申请半导体测试结构及方法专利，判断是否有开裂产生及监测开裂程度
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2025-06-07 11:04:21
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体测试结构及半导体测试方法”的专利，公开号CN120109127A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法。半导体测试结构包括基底及位于基底上的主测试结构及主对比结构；主测试结构包括第一测试电极、第二测试电极、第一测试焊盘及第二测试焊盘；第一测试电极环绕第二测试电极，并与第一测试焊盘相连接；第二测试电极与第二测试焊盘相连接；主对比结构包括第一对比电极、第二对比电极、第一对比焊盘及第二对比焊盘；第一对比电极环绕第二对比电极，并与第一对比焊盘相连接；第二对比电极与第二对比焊盘相连接；第二测试电极内具有刻蚀凹槽，第二测试电极的侧壁厚度小于第二对比电极沿第一方向的厚度。能够通过对比主测试结构与主对比结构的电容值差异，判断是否有开裂产生及监测开裂程度。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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