金兰功率半导体申请一种IPM模块封装结构系统及其工艺专利，显著降低模块内引线电阻
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2025-06-09 13:06:50
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，金兰功率半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种IPM模块封装结构、系统及其工艺”的专利，公开号CN120109120A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种IPM模块封装结构、系统及其工艺，IPM模块封装结构包括硅晶圆基板、背金层、聚酰亚胺组件、铜布线组件、焊接层、芯片和铜柱，背金层设置于硅晶圆基板一表面；聚酰亚胺组件设置于硅晶圆基板另一表面，铜布线组件设置于位于内侧和外侧的相邻两层聚酰亚胺层之间，焊接层设置于第一铜布线层远离第一聚酰亚胺层的一表面；芯片设置于焊接层和第二铜布线层之间；铜柱设置于聚酰亚胺组件底部两侧，铜柱的一端部穿过聚酰亚胺组件并延伸至聚酰亚胺组件外。
天眼查资料显示，金兰功率半导体（无锡）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，金兰功率半导体（无锡）有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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