浙江芯晟半导体申请MEMS谐振式压力传感器专利，具有较高的灵敏度
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2025-05-15 22:08:51
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金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种MEMS谐振式压力传感器及其制造方法”的专利，公开号CN119984576A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明涉及压力传感器技术领域。具体涉及一种MEMS谐振式压力传感器及其制造方法。本发明提供的MEMS谐振式压力传感器包括：基体层；基体层包括敏感膜；敏感膜适于将传感器被施加的压力转化为应力；中间层；中间层包括谐振子结构；谐振子结构通过锚区连接于敏感膜，适于将敏感膜转化的应力转化为自身的谐振运动；中间层还包括激励检测结构；激励检测结构设置于谐振子结构的侧部，适于激励谐振子结构的谐振运动并检测其谐振运动的频率，通过输出的电信号以计算传感器被施加的压力。其中，谐振子结构包括谐振梁和与谐振梁垂直且连接设置的固定梁；固定梁的一端连接于谐振梁的中点。
天眼查资料显示，浙江芯晟半导体科技有限责任公司，成立于2023年，位于嘉兴市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江芯晟半导体科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目166次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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