广州增芯科技申请半导体结构及其制备方法专利，降低了成本
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2025-06-14 17:12:59
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120149160A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：采用第一光罩对所述半导体衬底进行第一次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第一注入区和第二注入区；采用所述第一光罩，在所述半导体衬底上制备牺牲层；形成位于所述牺牲层顶部表面及侧壁表面的氧化物层；步刻蚀去除所述牺牲层上和所述半导体衬底上的部分氧化物层；以所述牺牲层和剩余的所述氧化物层为遮挡层，对所述半导体衬底进行第二次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第三注入区，所述第三注入区和所述第一注入区共同构成半导体结构。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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