长鑫科技申请存储器及存储器的形成方法专利，涉及半导体器件结构设计领域
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2025-06-17 09:09:11
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及存储器的形成方法”的专利，公开号CN120166691A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件结构设计领域，特别涉及一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括第一基底、于第一基底上多层堆叠设置的存储阵列和位于存储阵列上的第一布线互连层；第一布线互连层包括位于存储阵列顶部的第一接触层，第一接触层具有字线接触区和位存接触区，字线接触区中设置有多个第一字线接触，位存接触区中设置有至少一个第一存储接触和多个第一位线接触；第一布线互连层包括位于第一接触层顶部的字线互连层，字线互连层中设置有字线互连结构，字线互连结构于第二方向上延伸且于第一方向间隔设置，且接触连接在第二方向排列的第一字线接触；第一存储接触和第一位线接触贯穿字线互连层。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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