研微半导体申请特征填充方法和半导体结构专利，提高特征填充率的同时提升芯片性能_电子技术

研微半导体申请特征填充方法和半导体结构专利，提高特征填充率的同时提升芯片性能

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2025-06-17 09:37:14

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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，研微（江苏）半导体科技有限公司申请一项名为“特征填充方法和半导体结构”的专利，公开号CN120164788A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请提供了一种特征填充方法和半导体结构。该特征填充方法包括提供包括多个特征的衬底，每个特征分别具有特征开口、特征侧壁和特征底部；本申请的特征填充方法能够及时或实时获取第一沉积层在特征开口处的形貌，判断是否形成有凸部，并在特征开口处形成有凸部时使用刻蚀介质刻蚀第一沉积层，以使特征开口处的第一沉积层相对于特征侧壁处和特征底部处的第一沉积层先被刻蚀；根据本申请的特征填充方法在刻蚀之前可对凸部进行改性处理，以进一步实现凸部的选择性刻蚀，从而能有效减小或去除凸部，防止凸部封闭特征开口，避免在特征内部形成孔洞，提高特征填充率的同时提升芯片性能。

天眼查资料显示，研微（江苏）半导体科技有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本2799.8133万人民币。通过天眼查大数据分析，研微（江苏）半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可10个。

来源：金融界

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