金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件,其中的方法包括:步骤S10,提供具有平坦顶面的衬底(10),所述衬底(10)顶面形成有栅极区域(20);步骤S20,在所述栅极区域(20)的顶面形成氮化硅层(30);步骤S30,蚀刻所述氮化硅层(30),使得氮化硅层(30)在对应所述栅极区域(20)的位置形成为凸起(31);步骤S40,继续在顶面形成第一介质层(41);以及步骤S50,使得所述第一介质层(41)的顶面与所述凸起(31)的顶面平齐。
天眼查资料显示,成都紫光半导体科技有限公司,成立于2022年,位于成都市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析,成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。
来源:金融界