长鑫科技申请半导体结构的制造方法专利，有利于提高半导体结构的集成密度
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2025-06-17 15:36:51
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120166693A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底包括阵列区；形成多个有源柱，有源柱位于阵列区上，有源柱沿第一方向和第二方向排列，有源柱沿第三方向延伸；形成字线，字线沿第一方向延伸，在沿第一方向上，字线覆盖多个有源柱的侧壁；形成位线，位线沿第二方向延伸，在沿第二方向上，位线连接多个有源柱在沿第三方向的一端；形成字线插塞，字线插塞位于字线在沿第三方向上靠近位线的一侧，且与字线电接触，字线插塞在基底上的正投影位于阵列区；形成位线插塞，位线插塞位于位线在沿第三方向上远离有源柱的一侧，且与位线电接触，位线插塞在基底上的正投影位于阵列区，至少有利于提高半导体结构的集成密度。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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