长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，提高存储电路的集成密度
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2025-06-23 18:09:39
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120186999A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构具有用于键合的第一表面；所述第一堆叠结构内包括晶体管阵列和电荷存储阵列，所述晶体管阵列和所述电荷存储阵列在垂直于所述第一表面的方向上堆叠，所述晶体管阵列相较于所述电荷存储阵列更接近所述第一表面；其中，所述电荷存储阵列具有第一连接端和第二连接端，所述第一连接端用于连接所述电荷存储阵列与所述晶体管阵列，所述第二连接端环绕所述晶体管阵列和所述电荷存储阵列的外周，并延伸至接近所述第一表面。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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