荣芯半导体取得离子注入层光学临近效应修正等相关专利
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2025-06-27 15:40:12
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司取得一项名为“离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法”的专利，授权公告号CN119148461B，申请日期为2024年11月。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息35条。
来源：金融界
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