力晶积成申请半导体元件的制造方法专利,公开半导体元件制造步骤
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2025-07-05 11:38:00
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金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体元件的制造方法”的专利,公开号CN120264791A,申请日期为2024年01月。

专利摘要显示,本发明公开一种半导体元件的制造方法,其包括以下步骤。在基底上形成晶体管,其中晶体管的漏极与栅极结构分隔一段距离。在晶体管的漏极与栅极结构之间的基底上形成场板,其中场板延伸至栅极结构的侧壁与顶面上。在基底上形成第一介电层,其中第一介电层覆盖晶体管与场板。在第一介电层上形成第二介电层,其中第二介电层具有第一开孔,且第一开孔暴露出位于场板上的第一介电层的一部分。经由第一开孔,移除部分第一介电层而形成第二开孔,其中第二开孔自第二介电层的被暴露的侧壁朝向第二介电层的内部延伸。在第二介电层中形成暴露出晶体管的栅极、源极与漏极的第三开孔。在第二开孔与第三开孔中形成导电层。

来源:金融界

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