华虹半导体申请缓冲层刻蚀方法专利，降低刻蚀副产物的产生
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2025-07-08 17:09:14
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“缓冲层的刻蚀方法”的专利，公开号CN120280341A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种缓冲层的刻蚀方法，包括：在缓冲层多层膜上形成顶部氧化物层，该缓冲层多层膜从下而上包括顶部氮化物层和位于所述顶部氮化物层下方的至少一层介质层，该缓冲层多层膜形成于金属互连结构上，金属互连结构的顶层层间介质层中形成有顶部金属层，金属互连结构形成于衬底上；在顶部氧化物层上覆盖光阻；依次通过曝光和显影去除目标区域的光阻；进行刻蚀，去除目标区域的顶部氧化物层和缓冲层多层膜，在顶部氧化物层和缓冲层多层膜中形成沟槽，沟槽底部的顶部金属层暴露。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1680条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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