上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利，将有源区顶角上方的栅氧化层充分向目标沟槽的两侧推开_电子技术

上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利，将有源区顶角上方的栅氧化层充分向目标沟槽的两侧推开

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2025-07-08 22:10:12

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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120282507A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；衬底一侧形成有栅氧化层和掩膜层；刻蚀掩膜层，形成初始沟槽；于初始沟槽的底部及侧壁形成牺牲材料层；继续刻蚀牺牲材料层的底部、栅氧化层和衬底，以去除初始沟槽底部的牺牲材料层，并形成具有目标深度的目标沟槽；其中，保留于掩膜层侧壁的牺牲材料层构成牺牲层；去除牺牲层，使掩膜层和栅氧化层之间形成第一台阶结构；采用目标工艺刻蚀目标沟槽侧壁的栅氧化层，使栅氧化层和衬底之间形成第二台阶结构，以暴露出有源区顶角；对有源区顶角进行顶角轮廓圆化处理。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1837次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1175条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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