长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等相关专利，降低半导体器件导通电阻
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2025-07-09 20:09:16
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120282521A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括阱区、第一区域和第二区域，第一区域设置于半导体本体的第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽，第二区域设置于第一表面，并延伸至源极沟槽的底部和侧壁，栅极位于栅极沟槽内；源极沟槽结构位于源极沟槽内；第一欧姆接触层，位于第一表面，第一欧姆接触层至少覆盖部分第二区域；第二欧姆接触层，位于第一欧姆接触层远离半导体本体的一侧，第二欧姆接触层至少覆盖第一欧姆接触层未覆盖的第一表面的区域，实现降低半导体器件导通电阻，提高器件的导电效率。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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