长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等相关专利,降低半导体器件导通电阻
创始人
2025-07-09 20:09:16
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金融界2025年7月9日消息,国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利,公开号CN120282521A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,其中,半导体器件包括:半导体本体,半导体本体包括阱区、第一区域和第二区域,第一区域设置于半导体本体的第一表面,阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧;第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽,第二区域设置于第一表面,并延伸至源极沟槽的底部和侧壁,栅极位于栅极沟槽内;源极沟槽结构位于源极沟槽内;第一欧姆接触层,位于第一表面,第一欧姆接触层至少覆盖部分第二区域;第二欧姆接触层,位于第一欧姆接触层远离半导体本体的一侧,第二欧姆接触层至少覆盖第一欧姆接触层未覆盖的第一表面的区域,实现降低半导体器件导通电阻,提高器件的导电效率。

天眼查资料显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析,长飞先进半导体(武汉)有限公司参与招投标项目23次,专利信息61条,此外企业还拥有行政许可15个。

来源:金融界

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