万国半导体申请漏极正面引出的功率器件及其制作方法专利，有效减少clip用料的需求
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2025-07-09 20:39:07
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“漏极正面引出的功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN120282500A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种漏极正面引出的功率器件及其制作方法，包括衬底、外延层和隔离层，功率器件沿水平方向划分有栅极接触区、有源区、终端区和终端外围区域；栅极接触区的隔离层上设置有栅极金属，栅极金属与栅极互联结构连接；有源区的隔离层上设置有源极金属，源极金属与源区连接；终端区设置有耐压环和截止环结构，终端外围区域的隔离层上设置有漏极金属，漏极金属与终端外围区域的第一注入区连接。本发明中，将功率器件的漏极金属改为设置在功率器件正面的终端外围区域，从而使功率器件的源极金属、漏极金属和栅极金属三端均位于同一平面，可以有效减少clip用料的需求，并能够提升功率器件性能，减少寄生效应。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可19个。
来源：金融界
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