万国半导体申请漏极正面引出的功率器件及其制作方法专利，有效减少clip用料的需求
创始人
2025-07-09 20:39:07
0次
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“漏极正面引出的功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN120282500A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种漏极正面引出的功率器件及其制作方法，包括衬底、外延层和隔离层，功率器件沿水平方向划分有栅极接触区、有源区、终端区和终端外围区域；栅极接触区的隔离层上设置有栅极金属，栅极金属与栅极互联结构连接；有源区的隔离层上设置有源极金属，源极金属与源区连接；终端区设置有耐压环和截止环结构，终端外围区域的隔离层上设置有漏极金属，漏极金属与终端外围区域的第一注入区连接。本发明中，将功率器件的漏极金属改为设置在功率器件正面的终端外围区域，从而使功率器件的源极金属、漏极金属和栅极金属三端均位于同一平面，可以有效减少clip用料的需求，并能够提升功率器件性能，减少寄生效应。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可19个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
原创 报...
一份最新的调查报告披露，俄罗斯用来袭击乌克兰的先进战斗机在制造过程中竟然使用了数百种西方零部件。这份...
丈夫举报妻子出轨湖南湘潭县市场...
日前，湖南湘潭男子尹先生在网上反映称，今年5月，自己发现妻子与湘潭县市场监督管理局综合行政执法大队大...
海思技术申请确定设备方位的方法...
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，海思技术有限公司申请一项名为“确定设备方位的方...
荣耀申请电子设备专利，一种包括...
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，荣耀终端股份有限公司申请一项名为“电子设备”的...
李三江，被查
据中央纪委国家监委驻国家税务总局纪检监察组、河南省纪委监委7月9日消息：国家税务总局政策法规司原司长...
上海集成电路装备材料产业创新中...
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一...
联创光电：已与主要高温超导带材...
证券之星消息，联创光电(600363)07月09日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
超导量子比特相干时间创 1 毫...
7 月 9 日消息，7 月 8 日，芬兰阿尔托大学（Aalto University）的物理学家在《...
飞凯材料：Ultra Low ...
金融界7月9日消息，有投资者在互动平台向飞凯材料提问：公司的Ultra Low Alpha Micr...
一博科技：珠海PCB板厂聚焦A...
金融界7月9日消息，有投资者在互动平台向一博科技提问：介绍一下珠海市邑升顺电子有限公司具体生产什么P...