华虹半导体申请立体MIM电容极板形成方法专利，实现立体MIM中电容极板的高效形成
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2025-07-09 22:08:52
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种立体MIM电容极板形成方法”的专利，公开号CN120282459A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种立体MIM电容极板形成方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件的第一介质层中形成有金属连线，所述第一介质层上依次形成有介质阻挡层和第二介质层；在所述第二介质层中形成通孔，使所述通孔底部的金属连线暴露；生长第一WN薄膜层，所述第一WN薄膜层覆盖所述通孔底部和所述第二介质层表面；在所述第一WN薄膜层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第二WN薄膜层；在所述第二WN薄膜层上形成金属层，且所述金属层填充所述通孔；进化平坦化处理，以去除位于所述通孔外的所述第一WN薄膜层、绝缘层、第二WN薄膜层和金属层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1690条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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