上海集成电路装备材料产业创新中心申请半导体器件制备方法专利，实现调控半导体器件的阈值电压以达到目标阈值电压
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2025-07-09 22:09:04
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120282470A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底中和衬底上形成MOS结构，并在MOS结构上形成互连结构层，互连结构层与MOS结构电性连接；通过互连结构层测量获得MOS结构的测量阈值电压，根据测量阈值电压和一目标阈值电压的差值调整目标阈值电压对应的目标功率值以获得第一紫外光照射工艺的功率；形成低K介质层覆盖互连结构层；以第一紫外光照射工艺的功率对介质层执行第一紫外光照射工艺，以达到目标阈值电压。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息494条，此外企业还拥有行政许可211个。
来源：金融界
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