台亚半导体申请发光二极管结构专利，包含永久基板等多种复合层结构
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2025-07-10 13:08:51
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金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管结构”的专利，公开号CN120282607A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本发明关于一种发光二极管结构，其包含一永久基板、一键合金属复合层、一镜面反射复合层及一外延半导体复合层。其中，键合金属复合层位于永久基板上，镜面反射复合层位于键合金属复合层上，外延半导体复合层位于镜面反射复合层上。键合金属复合层与永久基板间为一非平整接面，且该非平整接面的表面粗糙度(Ra)小于0.5微米(μm)。
来源：金融界
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