金融界2025年7月10日消息,国家知识产权局信息显示,台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管结构”的专利,公开号CN120282607A,申请日期为2024年03月。
专利摘要显示,本发明关于一种发光二极管结构,其包含一永久基板、一键合金属复合层、一镜面反射复合层及一外延半导体复合层。其中,键合金属复合层位于永久基板上,镜面反射复合层位于键合金属复合层上,外延半导体复合层位于镜面反射复合层上。键合金属复合层与永久基板间为一非平整接面,且该非平整接面的表面粗糙度(Ra)小于0.5微米(μm)。
来源:金融界