奥卓真空取得基于CCP等离子技术半导体镀膜装置专利，能避免半导体单独清洗造成的二次污染
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2025-07-11 13:10:32
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，奥卓真空设备技术（珠海）有限公司取得一项名为“一种基于CCP等离子技术的半导体镀膜装置”的专利，授权公告号CN223092814U，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种基于CCP等离子技术的半导体镀膜装置，属于半导体镀膜技术领域，包括箱体，所述箱体顶部的中部设置有液压缸，所述箱体一侧固定连接有侧板，所述侧板顶部设置有鼓风机，所述鼓风机顶部设置有出风管，所述鼓风机另一侧设置有进风管，所述箱体外壁的下部设置有驱动电机，所述箱体背门的下部固定连接有承载板，通过设置射频电源与电极板，实现了在对半导体进行镀膜前对半导体进行CCP等离子清洗，不但能够避免半导体单独清洗造成的二次污染，而且又能提高清洗效果，有利于提高半导体镀膜效果，也避免了半导体在放置过程中因半导体表面沾染污染，需要将半导体由镀膜装置内取出重新进行清洗，费时费力，也降低了镀膜效率。
天眼查资料显示，奥卓真空设备技术（珠海）有限公司，成立于2020年，位于珠海市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本2940.5万人民币。通过天眼查大数据分析，奥卓真空设备技术（珠海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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