奥卓真空取得基于CCP等离子技术半导体镀膜装置专利,能避免半导体单独清洗造成的二次污染
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2025-07-11 13:10:32
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金融界2025年7月11日消息,国家知识产权局信息显示,奥卓真空设备技术(珠海)有限公司取得一项名为“一种基于CCP等离子技术的半导体镀膜装置”的专利,授权公告号CN223092814U,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种基于CCP等离子技术的半导体镀膜装置,属于半导体镀膜技术领域,包括箱体,所述箱体顶部的中部设置有液压缸,所述箱体一侧固定连接有侧板,所述侧板顶部设置有鼓风机,所述鼓风机顶部设置有出风管,所述鼓风机另一侧设置有进风管,所述箱体外壁的下部设置有驱动电机,所述箱体背门的下部固定连接有承载板,通过设置射频电源与电极板,实现了在对半导体进行镀膜前对半导体进行CCP等离子清洗,不但能够避免半导体单独清洗造成的二次污染,而且又能提高清洗效果,有利于提高半导体镀膜效果,也避免了半导体在放置过程中因半导体表面沾染污染,需要将半导体由镀膜装置内取出重新进行清洗,费时费力,也降低了镀膜效率。

天眼查资料显示,奥卓真空设备技术(珠海)有限公司,成立于2020年,位于珠海市,是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本2940.5万人民币。通过天眼查大数据分析,奥卓真空设备技术(珠海)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目9次,专利信息21条,此外企业还拥有行政许可6个。

来源:金融界

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