芯联微电子申请静态随机存取存储器及其形成方法专利，有效提高静态随机存取存储器PMOS器件的性能
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2025-07-16 19:09:53
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120321939A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供静态随机存取存储器及其形成方法，通过先执行外延生长工艺，以在PMOS器件两侧的衬底内形成锗硅应力层；再依次形成压应力刻蚀停止层和拉应力刻蚀停止层，所述压应力刻蚀停止层覆盖所述PMOS器件，所述拉应力刻蚀停止层覆盖所述NMOS器件。本发明通过先在PMOS器件两侧的衬底内形成锗硅应力层，再依次在PMOS器件上形成压应力刻蚀停止层和在NMOS器件上形成拉应力刻蚀停止层，对PMOS器件施加压应力，对NMOS器件施加拉应力，提高了静态随机存取存储器的NMOS器件与PMOS器件的驱动电流比例，减少静态随机存取存储器的存储单元中的晶体管参数失配，进而有效提高静态随机存取存储器PMOS器件的性能。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目720次，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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