长鑫存储取得半导体结构、存储器及裂纹测试方法相关专利
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2025-07-26 12:39:08
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金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构、存储器及裂纹测试方法”的专利，授权公告号CN115810612B，申请日期为2021年09月。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目382次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可55个。
来源：金融界
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