华为申请存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备专利，提高存储阵列的排布密度_电子技术

华为申请存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备专利，提高存储阵列的排布密度

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2025-07-28 09:40:13

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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备”的专利，公开号CN120379244A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高存储阵列的排布密度。存储阵列包括阵列式排布的多个存储单元，每个存储单元包括电容器和晶体管。其中，电容器包括第一电极、电介质层和第二电极，第一电极围绕第二电极设置，电介质层位于第一电极与第二电极之间。晶体管设置于电容器上，晶体管包括沟道层、栅介质层和栅极层，栅极层围绕沟道层的侧面，栅介质层位于沟道层与栅极层之间。沟道层与第二电极接触，沟道层包括与第二电极接触的第一表面，第二电极包括与沟道层接触的第二表面，第一表面的边界与第二表面的边界重合。该存储阵列可应用于存储器中，以实现对数据的读取和写入。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1516个。

来源：金融界

企业方法显示电介质电极信息存储器电子设备包括专利阵列栅极层沟道层质层

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