长兴半导体申请存储芯片封装结构及其制备方法专利，克服现有层叠式芯片封装结构中存在散热不良等问题
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2025-07-28 12:40:15
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金融界 2025 年 7 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，广东长兴半导体科技有限公司申请一项名为“一种存储芯片的封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN120379277A，申请日期为 2025 年 04 月。
专利摘要显示，为克服现有层叠式芯片封装结构中存在散热不良，以及各存储芯片之间体积膨胀率不同导致的应力的问题，本发明提供了一种存储芯片的封装结构，包括基板、控制芯片、导热层、存储芯片、导热浆料层和封装胶层，所述导热层设置于所述控制芯片背离所述基板的表面，在多个所述存储芯片的两侧分别形成有第一阶梯面和第二阶梯面，所述控制芯片、所述导热层和所述存储芯片位于所述封装胶层中，所述导热浆料层包括第一导热浆料层和第二导热浆料层，所述第一导热浆料层覆盖于所述第二阶梯面，所述第二导热浆料层覆盖于所述封装胶层的外表面。同时，本发明还公开了上述存储芯片的封装结构的制备方法。
天眼查资料显示，广东长兴半导体科技有限公司，成立于2012年，位于东莞市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6111.7922万人民币。通过天眼查大数据分析，广东长兴半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息99条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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