三安半导体申请半导体激光元件专利，一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层
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2025-07-28 18:12:03
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金融界 2025 年 7 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利，公开号 CN120380670A，申请日期为 2023 年 07 月。
专利摘要显示，一种半导体激光元件，包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的 N 侧半导体层(20)、有源层(30)和 P 侧半导体层(40)；其中，N 侧半导体层(20)含有 n 型杂质，n 型杂质沿着半导体叠层厚度方向具有浓度曲线，浓度曲线包含第一段(L1)和第二段(L2)，第一段(L1)对应于 N 侧半导体层(20)远离有源层(30)的区域，第二段(L2)对应于 N 侧半导体层(20)靠近有源层(30)的区域，第二段(L2)包含第一峰形(P1)，第一段(L1)具有第一浓度，第一峰形(P1)的峰值浓度大于第一浓度。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目56次，专利信息604条，此外企业还拥有行政许可341个。
来源：金融界
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