超硅半导体申请SOI衬底的制备方法专利，避免损伤其他区域_电子技术

超硅半导体申请SOI衬底的制备方法专利，避免损伤其他区域

创始人

2025-07-29 15:13:42

0次

金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“SOI衬底的制备方法”的专利，公开号CN120390454A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种SOI衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底和一剥离衬底，所述剥离衬底内包括剥离层，所述支撑衬底和剥离衬底中的至少一衬底表面具有绝缘层；将支撑衬底和剥离衬底键合；从剥离层位置去除部分的剥离衬底，形成SOI衬底；用氧化层腐蚀液腐蚀SOI衬底的边缘，去除边缘部的绝缘层。上述的定向腐蚀技术采用氢氟酸喷淋并优选结合氮气吹扫，通过精准控制喷淋角度、流量及腐蚀时间，可定向去除SOI衬底边缘层，避免损伤其他区域。同时，氮气吹扫抑制背面应力翘曲，保障衬底平整度，满足单晶外延等深加工需求，提升工艺兼容性与成品率。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可192个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可18个。

来源：金融界

企业方法显示信息半导体损伤其他重庆查大专利剥离层天眼衬底

上一篇：三维机电取得半导体晶圆表面缺陷在线检测装置专利

下一篇：南方电网申请基于融冰装置的感应电压抑制方法和相关产品专利，降低融冰线路导地线的感应电压

超硅半导体申请SOI衬底的制备方法专利，避免损伤其他区域

相关内容

热门资讯