南亚科技申请三维半导体结构及其制造方法专利，提供一种三维半导体结构的制造方法
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2025-07-30 12:41:45
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金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“三维半导体结构以及其制造方法”的专利，公开号 CN120388953A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本揭露提供一种三维半导体结构的制造方法。半导体半导体结构的制造方法，包含有下列步骤，提供晶圆，而晶圆包含正面以及背面。粘着晶圆的正面于支撑基板，涂布光阻层在晶圆的背面，以及蚀刻晶圆的背面，以在晶圆的背面，形成多个凹槽。切割晶圆以形成多个半导体装置。
来源：金融界
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