华虹半导体申请极板电容结构及其制造方法专利，显著改善漏电、击穿电压及TDDB可靠性_电子技术

华虹半导体申请极板电容结构及其制造方法专利，显著改善漏电、击穿电压及TDDB可靠性

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2025-08-05 14:38:32

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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“极板电容结构及其制造方法”的专利，公开号CN120417399A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种极板电容结构，包括：衬底上的第一层间介质层、凸形介质阻挡层、堆叠的下极板金属层、第二层间介质层及刻蚀阻挡层；覆盖叠层结构的第三层间介质层；穿透第三层间介质层的第一接触孔、第二接触孔及上极板凹槽。第一接触孔延伸至第一层间介质层，第二接触孔延伸至下极板金属层，上极板凹槽延伸至第二层间介质层。各孔及凹槽内填充带Ti/TiN阻挡层的铜金属层，其中铜作为上极板，TiN作为下极板。制造方法通过光刻刻蚀叠层结构、保留介质阻挡层、分步刻蚀接触孔及凹槽，并集成铜填充工艺。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目374次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可226个。

来源：金融界

制造方法极板孔及上介质电压电容阻挡层结构专利华虹半导体凹槽

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