近期，碳化硅（SiC）技术领域迎来了一系列重要新品发布，其中安世半导体（Nexperia）以及方正微电子均推出了各自的新产品。

方正微电子：高性能碳化硅 MOS 功率模块发布

近日，深圳市重大产业投资集团有限公司旗下的深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）正式推出了一款高性能的碳化硅（SiC）MOS功率模块——FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）。

图片来源：方正微电子

该模块采用了方正微电子自研自产的车规级SiC MOS芯片，并通过芯片银烧结、DTS等先进工艺进行封装。在内部设计上，该模块采用了合理紧凑的芯片布局，有效降低了电压尖峰、电压振荡、开关损耗以及EMI噪声等问题，提升了模块的电气性能和在复杂工况下的适应性。

在应用表现方面，FA120P002AA模块已经针对新能源汽车主驱应用场景进行了多工况的电机台架测试。测试结果显示，该模块在波形、芯片温度、堵转、循环工况以及老化等方面表现出色，能够为新能源纯电动汽车和混合电动汽车的主驱逆变器提供最优的解决方案。

此外， 该模块还满足国际电子元件AQG-324可靠性标准，其芯片关键可靠性项目可轻松通过3000小时认证，进一步证明了其卓越的可靠性和耐用性。

安世半导体：1200V 20A 碳化硅肖特基二极管发布

安世半导体（Nexperia）宣布推出两款1200V 20A SiC肖特基二极管，旨在满足AI服务器、电信设备和太阳能逆变器应用的电源装置对超低功率损耗整流器的需求。

图片来源：安世半导体

据介绍，PSC20120J和PSC20120肖特基二极管通过不受温度影响的电容开关和零恢复特性实现了领先的性能。此外，其开关性能几乎完全不受电流和开关速度变化的影响。

这两款二极管具备合并式 PiN 肖特基（MPS）结构，在抵御浪涌电流上展现出稳健性，降低了对额外保护电路的要求。PSC20120J采用真双引脚D2PAK R2P（TO-263-2）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装，而PSC20120L则采用真双引脚TO247 R2P（TO-247-2）通孔功率塑料封装。这些特性使得安世半导体的SiC肖特基二极管在高性能电源应用中具有显著优势。

（文/集邦化合物半导体 竹子 整理）