MOS管的主要参数–Vds
创始人
2025-08-22 14:37:37
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MOS管的Vds（Drain-Source Voltage）是指其漏极D与源极S之间能承受的最大直流电压值。这个参数不仅决定了MOS管在静态工作时的耐压能力，还直接影响其在动态工况（如开关、瞬态冲击）下的安全性。简单来说，Vds就像MOS管的“抗压阈值”——如果电路中漏源极间的电压超过这个阈值，MOS管的氧化层可能被击穿，导致永久性损坏。
一般来说，硅基MOS的耐电压在400V以下的称为中低压，400V以上的称为高压，目前业内最低的低压能做到20V，高压可超过1000V。捷捷微JMTK3005A就是一颗中低压NMOS。
主要参数
品类：NMOS
型号：JMTK3005A
封装：TO-252-3L
电压：30V
电流：100A
导通内阻: 3.4mΩ
包装：2500pcs/卷
规格详情
END
往期精彩内容回顾:
1.GS3MB-捷捷微整流二极管
2.JMSL1040AUQ-捷捷微车规级NMOS
3.SM8S24CA-AL-捷捷微车规级TVS管双向
4.带ESD保护的MOS管
5.ES2D-捷捷微超快恢复二极管
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