MOS管的主要参数–Vds
创始人
2025-08-22 14:37:37
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MOS管的Vds（Drain-Source Voltage）是指其漏极D与源极S之间能承受的最大直流电压值。这个参数不仅决定了MOS管在静态工作时的耐压能力，还直接影响其在动态工况（如开关、瞬态冲击）下的安全性。简单来说，Vds就像MOS管的“抗压阈值”——如果电路中漏源极间的电压超过这个阈值，MOS管的氧化层可能被击穿，导致永久性损坏。

一般来说，硅基MOS的耐电压在400V以下的称为中低压，400V以上的称为高压，目前业内最低的低压能做到20V，高压可超过1000V。捷捷微JMTK3005A就是一颗中低压NMOS。

主要参数

品类：NMOS

型号：JMTK3005A

封装：TO-252-3L

电压：30V

电流：100A

导通内阻: 3.4mΩ

包装：2500pcs/卷

规格详情

END

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高压 pcs Vds 低压 阈值 Voltage 电压 内阻 捷捷 二极管 参数 捷捷微

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