旺宏电子申请存储器元件专利，可包括具有高容量与高性能的3D AND闪存
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2025-08-22 18:37:05
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN120529592A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储器元件，包括内连线、第一停止垫、第二停止垫、堆叠结构、通道柱、电荷储存结构、第一导体柱、第二导体柱以及第一导体插头。第一停止垫与第二停止垫位于内连线上方。堆叠结构位于第一停止垫与第二停止垫上方。通道柱延伸穿过堆叠结构。电荷储存结构位于通道柱与堆叠结构之间。第一导体柱与第二导体柱位于通道柱中且与通道柱耦接。第一导体柱着陆在第一停止垫上，第二导体柱着陆在第二停止垫上。第一导体插头位于内连线与第一停止垫之间，且第一导体柱通过第一导体插头、第一停止垫以及内连线电性连接基底上的第一元件。存储器元件可以包括具有高容量与高性能的3D AND闪存。
来源：金融界
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