天岳先进x东芝电子元件，碳化硅强强合作
创始人
2025-08-25 16:34:00
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近期，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称"东芝电子元件"）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称"天岳先进"）就天岳先进开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议。
图片来源：山东天岳先进科技股份有限公司
天岳先进表示，双方将针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。今后双方将就共同推进或相互协作的具体事项展开详细磋商。
据悉，东芝电子元 以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。除自主研发外，与SiC衬底技术改良的紧密协作也至关重要。
天岳先进自2010年创立以来，始终专注于单晶SiC衬底的开发生产，在SiC衬底开发及量产技术领域具有优势，该公司2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底，2025年实现n型、半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局。
天岳先进指出，此次与东芝电子元件达成合作，天岳先进将把SiC功率半导体产品的需求，以及东芝对SiC衬底核心技术应用的期待，转化为衬底品质与可靠性的提升，助力SiC功率半导体市场发展。
（文/集邦化合物半导体整理）
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