新微技术申请多维度传感器及其制备方法专利，可制备多维度传感器_电子技术

新微技术申请多维度传感器及其制备方法专利，可制备多维度传感器

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2025-08-26 15:35:14

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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“多维度传感器及其制备方法”的专利，公开号CN120534925A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请一种多维度传感器及其制备方法，包括：S100：提供基片；S200：在基片上设置第一传感器；S300：在基片上涂布形成牺牲层；S400：去除部分牺牲层以形成若干隔离槽，隔离槽将部分基片暴露，隔离槽用以定义出第一功能区和第二功能区，第一传感器位于第一功能区内；S500：在基片上形成功能层，其中，功能层中位于第一功能区上方的部分被定义为封装层、位于第二功能区上方的部分被定义为敏感层；S600：在封装层、敏感层上形成释放孔；S700：通过释放孔去除被封装层、敏感层覆盖的牺牲层，以在封装层内形成封装腔和在敏感层内形成可动腔；S800：沉积绝缘材料，以形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖封装腔上的释放孔；S900：在敏感层上形成金属电极。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目483次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息713条，此外企业还拥有行政许可43个。

来源：金融界

企业显示多维度技术上海信息基片定义出传感器专利牺牲层隔离槽功能区

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