新微技术申请多维度传感器及其制备方法专利，可制备多维度传感器
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2025-08-26 15:35:14
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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“多维度传感器及其制备方法”的专利，公开号CN120534925A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请一种多维度传感器及其制备方法，包括：S100：提供基片；S200：在基片上设置第一传感器；S300：在基片上涂布形成牺牲层；S400：去除部分牺牲层以形成若干隔离槽，隔离槽将部分基片暴露，隔离槽用以定义出第一功能区和第二功能区，第一传感器位于第一功能区内；S500：在基片上形成功能层，其中，功能层中位于第一功能区上方的部分被定义为封装层、位于第二功能区上方的部分被定义为敏感层；S600：在封装层、敏感层上形成释放孔；S700：通过释放孔去除被封装层、敏感层覆盖的牺牲层，以在封装层内形成封装腔和在敏感层内形成可动腔；S800：沉积绝缘材料，以形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖封装腔上的释放孔；S900：在敏感层上形成金属电极。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目483次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息713条，此外企业还拥有行政许可43个。
来源：金融界
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