南亚科技申请包含切割结构的半导体元件的制备方法专利，提供一种半导体元件的制备方法
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2025-05-20 15:07:01
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包含切割结构的半导体元件的制备方法”的专利，公开号CN120015742A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，提供一种半导体元件的制备方法，包括形成隔离层在基底中以界定预切割区域，形成下图案层在基底上，以及形成中间图案图层在下图案图层上；使用主要遮罩层图案化下图案层和中间图案层，形成第一下图案层及第一中间图案层，其暴露出预切割区域；形成上图案图层以覆盖主要下图案图层、主要中间图案图层以及预切割区域；使用次要遮罩层图案化上图案层，得到主要上图案层，其包括至少二第一类型空间以及第二类型空间；以及加深第一类型空间以形成至少二第一类型凹陷在预切割区域中，并形成至少二切割结构在第一类型凹陷中。第一倾斜方向与第二倾斜方向相交，并且由相邻的一对切割结构在预切割区域内界定主动区。
来源：金融界
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