现如今,移动电源已成为日常生活中常见的充电设备。为了在有限体积内实现更高功率输出,其内部设计不断迭代优化。其中,低压MOS被广泛应用于电源的升降压转换、充放电管理、电池保护以及无线充电等电路。低压MOS的选型会影响能量转换效率,并关系到产品的输出功率、体积和成本。面对多样化的移动电源产品线,如何合理选型是各品牌工程师需要重点考量的问题。
近期,充电头网拆解了多款正浩移动电源,覆盖30W至230W的输出功率,并在其中发现多款低压MOS的应用案例。下文将对此进行详细介绍。
文中出现的功率器件如上表所示,下文为您详细介绍。
EcoFlow正浩的一款5000mAh磁吸充电宝,外观高级典雅,其搭载1个USB-C接口和一根USB-C自带线,其中C口和C线支持30W PD双线快充,无线充电模块则支持15W的Qi2快充。背面配备折叠支架,可立于平面随心快充,解放双手。
同步升降压开关管来自ALLEPIC禾纳半导体,型号CWR03N041AP,NMOS,耐压30V,导阻3.1mΩ,采用PDFN3030封装。
电池保护管来自芯电元,型号PED3312M,为双NMOS,耐压18V,导阻3.4mΩ,采用DFN3*3-8L封装。
两颗VBUS开关管型号PED3008M,PMOS,耐压30V,导阻12mΩ,来自Semione芯电元,用于USB-C接口的输出控制。
丝印3517的MOS管。
丝印DC3908的MOS管特写。
两颗无线充电功率管丝印T3020DK。
丝印S1008的功率MOS管特写。
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砹德曼AD30P47D3,PMOS,耐压30V,导阻8mΩ,采用PDFN3030封装。
无线充电功率管来自创芯微,型号CMT3020DK,双NMOS管,耐压30V,采用PDFN3*3封装。
一颗丝印S1008的MOS用于谐振电容切换。
外挂四颗同步升降压开关管型号相同,丝印R03N041AP。
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禾纳半导体AER3041AE,NMOS,耐压30V,导阻3.2mΩ,采用PDFN5060封装。
USB-A口VBUS开关管来自JSCJ长晶科技,型号CJAB35N03S,NMOS,耐压30V,导阻5.2mΩ,采用PDFNWB3.3*3.3-8L封装。
丝印7407开关管。
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NCEPower新洁能NCEP4090GU,NMOS,耐压40V,导阻2.2mΩ,采用DFN5*6封装。
新洁能NCEP4065QU,NMOS管,耐压40V,导阻2.2mΩ,采用DFN3.3*3.3封装。
新洁能NCEP3045GU,NMOS管,耐压30V,导阻5.8mΩ,采用DFN5*6-8L封装。
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