韩国开发无电容MicroLED
近日，韩国高丽大学Tae-Geun Kim研究团队提出了一种新型AM （Active-Matrix（有源矩阵））Micro LED显示架构，成功摆脱了传统晶体管与电容的限制，实现更高的集成密度、更优的能效与更简化的制造流程。
图片来源：International Journal of Extreme Manufacturing
据悉，传统AM Micro LED显示技术通常依赖晶体管和电容来驱动像素，但这不仅限制了器件集成度，也增加了功耗与工艺复杂度。尽管过往研究人员已尝试将晶体管单片集成至Micro LED芯片或采用CMOS驱动电路，但仍面临晶体管性能不稳定、工艺复杂以及对电容集成TFT背板依赖等问题。
此次研究中，Tae-Geun Kim团队创新性地提出了一种基于锗碲忆阻器（Germanium Telluride Memristor, GT-MEMT）的无电容AM Micro LED显示架构。该忆阻器与Micro LED芯片实现单片集成，具备多级电阻切换特性、强驱动能力和极低的工作电压（设定电压 <0.2 V，复位电压 >0.2 V），同时在热稳定性与电稳定性方面表现优异。
更重要的是，GT-MEMT的制程无需热退火工艺，相比传统的TFT系统大幅简化了阵列集成流程。Tae-Geun Kim研究团队基于这一架构，成功制备出12×12无电容AM Micro LED阵列，能够稳定显示字母字符，验证了其在高分辨率显示中的可行性。
Tae-Geun Kim研究团队表示，该研究成果显示，能效出色的GT-MEMT为取代传统TFT-电容驱动方案提供了新方向，有望推动新一代低功耗、高分辨率Micro LED显示技术的发展，为AR/VR、微型投影及穿戴显示设备带来更轻薄、更节能的解决方案。（LEDinside整理）