成都紫光半导体申请包含层间介电质层的半导体元件及其制备方法专利，避免平坦化导致的层间介电质层表面出现凹陷和金属残留问题
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2025-05-22 22:09:35
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种包含层间介电质层的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120021008A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种包含层间介电质层的半导体元件及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1、在设置有多个栅极的所述半导体元件上，通过HARP工艺形成第一层间介电质层；所述第一层间介电质层填充所述多个栅极之间的间隔；所述第一层间介电质层的最大高度小于所述栅极的最小高度；S2、通过BPSG工艺形成第二层间介电质层；所述第二层间介电质层覆盖所述第一层间介电质层的表面；S3、对所述第二层间介电质层进行第一化学机械平坦化处理。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息19条。
来源：金融界
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