北京晨晶申请多层硅电容器堆叠器件专利，提升硅电容器电容密度
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2025-05-15 10:44:54
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金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“多层硅电容器堆叠器件及其封装方法”的专利，公开号CN119852097A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种多层硅电容器堆叠器件及其封装方法，属于半导体加工领域。多层硅电容器堆叠器件包括多个晶圆，每个晶圆包括硅衬底、对称设置在硅衬底上下两侧的第一硅电容器和第二硅电容器、第一焊盘和第三焊盘、第二焊盘和第四焊盘，其中，第一焊盘和第二焊盘连接到第一硅电容器，第三焊盘和第四焊盘连接到第二硅电容器，第一焊盘和第三焊盘间设置有第一通孔，第二焊盘和第四焊盘间设置有第二通孔，第一通孔和第二通孔填充有金属，实现了单个晶圆上下两侧电容器并联。同时，多个晶圆通过晶圆互连结构经由对应焊盘彼此电连接，实现了多个晶圆的堆叠和电容器的并联连接，从而在相同投影尺寸条件下实现硅电容器的电容密度和存储容量的数倍提升。
天眼查资料显示，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1700万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目599次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息155条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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