德州仪器申请具有高电容密度和电压线性度的集成式深沟槽电容器专利，提高电容性能
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2025-05-15 10:45:22
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金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有高电容密度和电压线性度的集成式深沟槽电容器”的专利，公开号 CN119920806A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开涉及一种具有高电容密度和电压线性度的集成式深沟槽电容器。微电子装置(100)在衬底(104)中包含集成式深沟槽电容器(102)。所述集成式深沟槽电容器(102)包含延伸到所述衬底(104)中的多个沟槽，所述沟槽填充有导电沟槽填充材料(140)。所述沟槽(129)的第一子集位于 N 型阱(114)中，且所述沟槽(131)的第二子集位于 P 型阱(118)中。第一电容器端子(186)连接沟槽(129)的所述第一子集中的所述导电沟槽填充材料(140)与沟槽(131)的所述第二子集中的所述导电沟槽填充材料(140)。第二电容器端子(184)连接所述 N 型阱(114)与所述 P 型阱(118)。
来源：金融界
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