中微半导体取得隔离结构及化学气相沉积装置专利，有利于提高薄膜沉积的均匀性_电子技术

中微半导体取得隔离结构及化学气相沉积装置专利，有利于提高薄膜沉积的均匀性

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2026-01-10 23:07:49

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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司取得一项名为“一种隔离结构及化学气相沉积装置”的专利，授权公告号CN223780362U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种隔离结构及化学气相沉积装置，其中所述隔离结构设置于气相沉积装置的反应腔内，所述反应腔内设有加热装置，其包括：第一环形罩，其包含用于容纳所述加热装置的第一空间；第二环形罩，其套设在第一环形罩上；所述第二环形罩的环宽大于所述第一环形罩的环宽，使所述第一环形罩和所述第二环形罩之间形成空腔。所述隔离结构阻断了反应腔内的反应气体的流动路径，减少了反应气体对射频感应线圈和反应腔底壁的腐蚀；同时隔绝了晶圆托盘对射频感应线圈的辐射散热，进而减弱了热辐射对射频感应线圈的温度影响，有利于提高薄膜沉积的均匀性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资上海隔离薄膜装置化学反应结构专利环宽气相形罩射频感应线圈

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