中微半导体取得隔离结构及化学气相沉积装置专利，有利于提高薄膜沉积的均匀性
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2026-01-10 23:07:49
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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司取得一项名为“一种隔离结构及化学气相沉积装置”的专利，授权公告号CN223780362U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种隔离结构及化学气相沉积装置，其中所述隔离结构设置于气相沉积装置的反应腔内，所述反应腔内设有加热装置，其包括：第一环形罩，其包含用于容纳所述加热装置的第一空间；第二环形罩，其套设在第一环形罩上；所述第二环形罩的环宽大于所述第一环形罩的环宽，使所述第一环形罩和所述第二环形罩之间形成空腔。所述隔离结构阻断了反应腔内的反应气体的流动路径，减少了反应气体对射频感应线圈和反应腔底壁的腐蚀；同时隔绝了晶圆托盘对射频感应线圈的辐射散热，进而减弱了热辐射对射频感应线圈的温度影响，有利于提高薄膜沉积的均匀性。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可77个。
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来源：市场资讯
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