横店东磁申请在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜等相关专利，提高PERC电池的光电转换效率
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2025-05-24 10:06:40
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利，公开号CN120035247A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底材料的一侧表面进行至少两次原子层沉积，得到氧化铝钝化膜；原子层沉积过程在原子层沉积设备的反应腔室中进行，其中，每次原子层沉积时，向反应腔室中先通入铝源后再通入臭氧。相比于先将臭氧通入反应腔室中，本申请采用先通入铝源后通入臭氧的方式能够抑制先生成氧化硅，在半导体衬底材料的一侧表面先生成氧化铝钝化膜能够提高钝化效果，从而提高PERC电池的光电转换效率；同时能够缩短氧化铝沉积时间，抑制杂质引入导致氧化铝钝化膜产生EL黑斑，能够提高产品良率，有利于大批量生产。
天眼查资料显示，横店集团东磁股份有限公司，成立于1999年，位于金华市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析，横店集团东磁股份有限公司共对外投资了36家企业，参与招投标项目4135次，财产线索方面有商标信息200条，专利信息2528条，此外企业还拥有行政许可78个。
来源：金融界
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