中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提供一种半导体结构及其形成方法
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2025-05-24 16:09:03
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120035209A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底上形成有目标层；在目标层上形成核心层，核心层中形成有初始沟槽，初始沟槽包括位于第一区域的第一初始沟槽和位于第二区域的第二初始沟槽；在初始沟槽的侧壁上形成第一侧墙层；去除核心层；在位于第二初始沟槽中的第一侧墙层侧壁上形成第二侧墙层，第二侧墙层和第一侧墙层构成侧墙层，并形成由侧墙层和目标层围成的沟槽，沟槽包括位于第一区域的第一沟槽和位于第二区域的第二沟槽，沿第二方向，相邻第一沟槽间的距离，小于相邻第二沟槽间的距离；以侧墙层为掩膜，沿第一沟槽图形化目标层，形成第一目标图形，沿第二沟槽图形化目标层，形成第二目标图形。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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