成都紫光半导体申请半导体器件形成方法专利，形成PMOS、NMOS和虚置栅极
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2025-05-24 16:09:09
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN120035222A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件的形成方法，所述形成方法包括：步骤S10：提供衬底(70)和层叠于所述衬底(70)的具有多层薄膜的材料层，用于形成栅极结构；步骤S21：在所述材料层上定义第一PMOS区(11)和第一NMOS区(21)的同时，定义第一虚置栅极区(31)；以及步骤S30：在所述第一PMOS区(11)形成PMOS(10)，在所述第一NMOS区(21)形成NMOS(20)，在所述第一虚置栅极区(31)形成虚置栅极(30)；其中，所述PMOS(10)高度等于所述NMOS(20)高度，所述虚置栅极(30)低于所述PMOS(10)和所述NMOS(20)高度。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息23条。
来源：金融界
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