半导体元件工业申请具有正交电压阻断结构的半导体器件专利，提供第一电荷平衡区
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2026-01-24 09:44:35
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“具有正交电压阻断结构的半导体器件及制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN121400087A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件（10）包括：衬底（12）；在该衬底上方的具有第一导电类型的第一半导体区（14A）；以及在该第一半导体区上方的具有该第一导电类型的第二半导体区（14B）。沟槽栅极结构（280）位于该第二半导体区中。具有第二导电类型的第一掺杂区（22）位于该第一半导体区中，其中该第一掺杂区和该第一半导体区提供第一电荷平衡区（142）。具有该第二导电类型的第二掺杂区（23）位于该第二半导体区中并且插置在该沟槽栅极结构与该第一掺杂区之间。该第二掺杂区和该第二半导体区提供第二电荷平衡区（143）。第二掺杂区与沟槽栅极结构自对准。
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来源：市场资讯
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